Samsung Electronics, yarı iletken işinde büyük bir dönüş yapmak için hazırlanıyor. Şirket, önümüzdeki yıl HBM4 bellek üretimiyle pazarda iddialı bir çıkış yapmayı planlıyor. Hatta bazı kaynaklara göre Samsung, HBM rakibi SK hynix’e kıyasla 3-6 ay önde olabilecek bir üretim hızı yakalayabilir. Samsung, 2026’yı hedefliyor
Şirketin başkanı Lee Jae-yong, son iki haftada San Francisco ve Silikon Vadisi’ndeki büyük teknoloji şirketlerini ziyaret ederek, “gelecek yılın işleri için hazırlık yaptık” söyleminde bulundu. Analistler, şirket başkanının bu ziyaretini Samsung’un bellek ve dökümhane (foundry) alanlarında yaşadığı rekabet sorunlarını aşmak ve müşterilerle ilişkileri güçlendirmek için bizzat devreye girdiğinin işareti olarak yorumladı.
Samsung, özellikle Nvidia ve AMD gibi büyük müşterilerine HBM4 bellekleri 2026’nın ilk yarısında sunmayı planlıyor. Şirket, birkaç yıl süren zorlu süreçlerin ardından yeni nesil teknolojilerini tek tek tamamlayarak büyük bir hazırlık içinde. Öyle ki, 19 Ağustos itibarıyla Samsung’un 1c DRAM geliştirme sürecinde hedef verim oranlarına planlanandan daha erken ulaştığı ve artık seri üretime hazır olduğu belirtildi.
Kaynaklar, bu seri üretimin ya SK hynix ile aynı zamanda başlayabileceğini ya da 1-2 ay önde olabileceğini, mevcut geliştirme temposunun ise rakibine kıyasla 3-6 ay öne geçme potansiyeli taşıdığını aktarıyor. Samsung, 10 nm sınıfı 6. nesil (1c) DRAM’i temel alan yeni nesil 12 yığın HBM4 belleğinin seri üretimine bu yıl başlamayı planlamıştı, ancak bunu 2026’ya erteledi. Samsung, 2025’in 4. çeyreğinde üretim hazırlık onayı (PRA) hedefleri belirleyerek daha temkinli bir yaklaşım sergilerken odağına performans ve verimliliği almış bulunuyor.
